Samsung Galaxy S6 може да има много по-бърза памет

Една от изненадите, които през следващата година ще предложи новия флагман на Samsung ще е свързана с използваната памет. По данни на корейското издание ET News компанията се кани да включи в модела NAND памет от следващо поколение, която е по-бърза и консумира много по-малко енергия. Става дума за памет по стандарта Universal Flash Storage (UFS), към която интерес проявява и китайската компания Xiaomi и желае да я включи в новите си модели. Източници на изданието твърдят, че Samsung ще започне масовото производство на UFS 2.0 NAND памет в края на тази година и ще я включи във флагмански модел през следващата. Най-вероятно тя ще дебютира в модела Galaxy S6, който се очаква през пролетта на 2015 г.

Източник: ET News